Trumpai

Studentai kviečiami išanalizuoti pateiktame moksliniame straipsnyje aprašytą fotoelektrocheminio ėsdinimo procesą, kuriame naudojama dviejų fotonų absorbcija ir HF rūgštis, bei suprasti pagrindines chemines reakcijas ir jų sąlygas. Ypatingas dėmesys skiriamas „skylių“ (elektronų vakansijų) generavimui ir jų vaidmeniui oksidacijos bei SiC tirpinimo procese. Taip pat studentai turi įvertinti alternatyvias ėsdinimo medžiagas (pvz., kitas rūgštis ar elektrolitus) bei procesinius parametrus, kurie gali paveikti ėsdinimo greitį ir paviršiaus kokybę. Galiausiai, tikslas – kritiškai įvertinti, kaip cheminės ir fizikinės sąlygos riboja arba leidžia optimizuoti šį mikrostruktūrų formavimo metodą. Pamėginti įvertinti alternatyvias ėsdinimo medžiagas, bei sąlygas kurios įtakoja greitį/kokybę.

Kviečiami studentai

Chemijos ir kitų susijusių studijų programų studentai